A cél a memóriában tárolt megoldások globális piacának fejlettebb szintre emelése. Ennek érdekében csúcstechnológiás kutatásokat végeznek az ügyfelek számára kialakított megoldásokban alkalmazható következő generációs DRAM kifejlesztéséért, és közösen dolgoznak a kereskedelmi forgalomba hozatalon is. A kutatóközpontban a Samsung és az SAP a kiterjedt technikai támogatáson keresztül globális ügyfelek számára optimalizált memóriában tárolt megoldásokat kínál majd, amelyek kiterjednek többek között az SAP HANA® platformra, valamint a Samsung legújabb nagy teljesítményű, nagy sűrűségű memória-megoldásaira is.

A központ kiszolgálói rendszere egy 24 terabájtos (TB) memóriában tárolt platformot használ, amely a Samsung 20 nanométeres feldolgozási csomópontra gyártott 128 gigabájtos (GB) DDR4 3DS (háromdimenziós vertikális) DRAM moduljain alapul. A vállalatok azt tervezik, hogy jövőre 10 nm-es osztályú 256 GB-os 3DS DRAM modulok alkalmazásával javítják az általános rendszerteljesítményt és energiafelhasználási hatékonyságot, ez pedig olyan memóriában tárolt rendszer kialakításához vezethet, amely még nagyobb befektetési megtérülést jelent a Samsung és az SAP ügyfelei számára.

„A legújabb 10 nm-es osztályú DRAM technológiánkkal fejlettebb, rendkívül hatékony megoldást biztosíthatunk az SAP következő generációs memóriában tárolt rendszeréhez” – jelentette ki Dr. Young-Hyun Jun, a Samsung Electronics memóriafejlesztésért felelős ágazatának igazgatója.

Kövesd az oldalunkat a Facebook-on és a Twitteren is!